P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ

P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ. P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1385pF. Kostnad): 275pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: NINCS. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: batteriladdningskontroll. G-S Skydd: ja. Id(imp): 50A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Spec info: HBM ESD-skyddsnivå på 3,8kV. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: P-kanal. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 16/05/2025, 09:25.