Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

P-kanal transistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - 2SJ598

P-kanal transistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - 2SJ598
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 63.76kr 79.70kr
2 - 2 60.58kr 75.73kr
3 - 4 58.66kr 73.33kr
5 - 9 57.39kr 71.74kr
10 - 19 56.11kr 70.14kr
20 - 29 54.20kr 67.75kr
30+ 52.29kr 65.36kr
Kvantitet U.P
1 - 1 63.76kr 79.70kr
2 - 2 60.58kr 75.73kr
3 - 4 58.66kr 73.33kr
5 - 9 57.39kr 71.74kr
10 - 19 56.11kr 70.14kr
20 - 29 54.20kr 67.75kr
30+ 52.29kr 65.36kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Slut i lager
Set med 1

P-kanal transistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - 2SJ598. P-kanal transistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 720pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: integrerad skyddsdiod. G-S Skydd: ja. Id(imp): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 23W. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: P-kanal MOS fälteffekttransistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Originalprodukt från tillverkaren Nec. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 00:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.