NPN-transistor MJE350, TO-126 (TO-225, SOT-32), -300V, 0.5A, TO-126, 300V, 500mA, TO-126, 300V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Collector-Emitter Voltage VCEO: -300V. Kollektorström: 0.5A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 0.5A. 500mA. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 30. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 20.8W. FT: 10 MHz. Funktion: -. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Information: -. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 240. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Minsta hFE-förstärkning: 30. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 20W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: MJE350. Spec info: komplementär transistor (par) MJE340. Spänning (Collector - Emitter): 4.87k Ohms. Tillverkarens märkning: MJE350. Typ av transistor: PNP. Typ: Switching. VCBO med kollektorbas: -300V. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 11/12/2025, 03:00