NPN-transistor MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. C(tum): 7pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. Ekvivalenta: KSE350. FT: 10 MHz. Funktion: -. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 110pF. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE340. Typ av transistor: PNP. Vebo: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 12:00