NPN-transistor MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V. Hölje: TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: -70V. Kollektorström: 10A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 10A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 90W. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max hFE-förstärkning: 70. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 4MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Pd (effektförlust, max): 75W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. Spänning (Collector - Emitter): 70V. Teknik: Epitaxial-Base. Tillverkarens märkning: MJE2955T. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27