NPN-transistor MJE2955T-CDIL, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

NPN-transistor MJE2955T-CDIL, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
8.72kr
5-24
7.27kr
25-49
6.32kr
50-99
5.74kr
100+
4.94kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 84

NPN-transistor MJE2955T-CDIL, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 100. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. Teknik: Epitaxial-Base. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27

MJE2955T-CDIL
25 parametrar
Kollektorström
10A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
2 MHz
Funktion
för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
100
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
8V
Minsta hFE-förstärkning
20
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.1V
Pd (effektförlust, max)
75W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) MJE3055T
Teknik
Epitaxial-Base
Typ av transistor
PNP
Vcbo
70V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för MJE2955T-CDIL