NPN-transistor MJE15030G, 150V, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 150V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 50W. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Max hFE-förstärkning: 40. Maxfrekvens: 30MHz. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Pd (effektförlust, max): 50W. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031G. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:05