NPN-transistor MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 8A. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 30MHz. CE-diod: nej. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 10. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 50W. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Gränsfrekvens ft [MHz]: 30 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 4pF. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 50. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 30MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Minsta hFE-förstärkning: 10. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Nuvarande Max 1: 8A. Pd (effektförlust, max): 50W. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15033. Tillverkarens märkning: MJE15032G. Typ av transistor: NPN. Typ: Effekt. VCBO med kollektorbas: 250V. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:52