NPN-transistor 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 120 MHz. Funktion: PCT-process. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 80. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2235-Y. Teknik: "Epitaxial typ". Temperatur: +150°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 07:35