NPN-transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

NPN-transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.84kr
5-24
14.28kr
25-49
12.58kr
50-99
11.66kr
100+
10.26kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 172

NPN-transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 2A. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: B647. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD667. Temperatur: +150°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Renesas Technology. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 03:51

Teknisk dokumentation (PDF)
2SB647
25 parametrar
Kollektorström
1A
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92M ( 9mm )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
140 MHz
Funktion
allmänt syfte
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
2A
Max hFE-förstärkning
200
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
B647
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Pd (effektförlust, max)
0.9W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2SD667
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Renesas Technology

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SB647