NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 12A, SOT-399, 1700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 12A. Hölje (enligt datablad): SOT-399. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1700V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: MONITOR 16KHz. Ic(puls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Krafttransistor. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Typ av transistor: NPN. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 12A, 825V. Kollektorström: 12A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 825V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 45W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. obs: MONITOR. Antal per fodral: 1. Spec info: 2.5us

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V/100V. Maximal förlust Ptot [W]: 25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 280V/150V. Maximal förlust Ptot [W]: 25W

NPN-transistor, 600V, 10A, TO-3. Collector-Emitter Voltage VCEO: 600V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Effekt: 175W

NPN-transistor, 7A, TO-220, TO-220, 200V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 6 MHz. Funktion: TV-HA. Max hFE-förstärkning: 20. Minsta hFE-förstärkning: 12:1. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 7A, TO-220, 200V, 200V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 200V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 400V. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Effekt: 60W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 175V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W

NPN-transistor, 12A, 375V. Kollektorström: 12A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 375V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L TV-HA. Pd (effektförlust, max): 120W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 12A, 400V. Kollektorström: 12A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L TV-HA. Pd (effektförlust, max): 120W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 6A, 375V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 375V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L TV-SN. Pd (effektförlust, max): 70W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 8A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): SOT-399. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA/Monitor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA/Monitor. Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 8A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): SOT-399. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA/Monitor. Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA/Monitor. Max hFE-förstärkning: 7.3. Minsta hFE-förstärkning: 4.2. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 13.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Rbe 25 Ohms

NPN-transistor, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorström: 12A. Hölje (enligt datablad): SOT-399. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV/Monitor. Pd (effektförlust, max): 55W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1. Spec info: CTV-HA (isolerad)

NPN-transistor, 16A, SOT-430, SOT-430, 800V. Kollektorström: 16A. Hölje: SOT-430. Hölje (enligt datablad): SOT-430. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV/Monitor. Pd (effektförlust, max): 125W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1. Spec info: CTV-HA

NPN-transistor, 6A, 700V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 2.5A, 700V. Kollektorström: 2.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 2.5A, 700V. Kollektorström: 2.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA SMPS. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-220AB. obs: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS (F). Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-220F (SOT186)

NPN-transistor, PCB-lödning, ITO-218, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-218. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-199. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BU508AF. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 700V. Maximal förlust Ptot [W]: 34W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, 700V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 34W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 1500V, 8A, TO-247. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1500V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-247. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Effekt: 125W