NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 200V, 70A, TO-3. Collector-Emitter Voltage VCEO: 200V. Kollektorström: 70A. Hölje: TO-3. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 350W

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F ( SOT186A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 32W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Krafttransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 23W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Pd (effektförlust, max): 110W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: hög spänning, hög hastighet. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 33W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 33W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 4A, 350V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 9 MHz. Funktion: S-L, SN. Pd (effektförlust, max): 55W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 600V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUV20. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 125V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 8 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 CASE 221A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 190V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Designad för höghastighetsapplikationer. Ic(puls): 30A. Pd (effektförlust, max): 85W. RoHS: ja. Tf(max): 150 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabb växlingshastighet. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 15A, 150V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 85W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUV48A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 5A, 400V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 5A, TO-3PN, 450V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: högspänning, snabbväxling. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 10. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 5A, 400V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 32W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 10A, 400V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 32W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 15A, TO-3PN, 400V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 175W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX48A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Maximal förlust Ptot [W]: 175W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 2A, 400V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: S. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 450V