| Antal i lager: 49 |
N-kanals transistor STW11NK100Z, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 26 |
N-kanals transistor STW11NK100Z, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 1000V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 3500pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: extremt hög dv/dt-kapacitet, Switching applications. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 33.2A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 270pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: W11NK100Z. Pd (effektförlust, max): 230W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(av): 98 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Trr-diod (Min.): 560 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58