N-kanals transistor IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 2 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 1000V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kostnad): 250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Td(av): 130 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 630 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:45