N-kanals transistor STP9NB60, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

N-kanals transistor STP9NB60, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
79.37kr
5-24
70.23kr
25-49
62.43kr
50+
54.63kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 3

N-kanals transistor STP9NB60, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Funktion: N MOSFET transistor. Kanaltyp: N. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 125W. Teknik: PowerMesh. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STP9NB60
15 parametrar
ID (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
9A
Resistans Rds På
0.8 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Funktion
N MOSFET transistor
Kanaltyp
N
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
125W
Teknik
PowerMesh
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för STP9NB60