N-kanals transistor IRFB9N60A, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1400pF. Driftstemperatur: -50...+150°C. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 37A. Kanaltyp: N. Kostnad): 180pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 170W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Höghastighetsväxling. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43