N-kanals transistor STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 4.6 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 440pF. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10.4A. Kanaltyp: N. Kostnad): 60pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 90W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 15 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: PowerMESH™ MOSFET. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24