N-kanals transistor STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3.8 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 485pF. Funktion: mycket högt dv/dt-förhållande, för växling av applikationer. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kostnad): 57pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P3NK80Z. Pd (effektförlust, max): 70W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 36ns. Td(på): 17 ns. Teknik: SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 384 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24