N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP26NM60N

N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP26NM60N. N-kanals transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.135 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 26NM60N. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Spec info: Låg ingångskapacitans och grindladdning. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 13 ns. Td(på): 85 ns. Teknik: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 10:25.