N-kanals transistor SPA11N65C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V

N-kanals transistor SPA11N65C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
63.26kr
5-24
56.02kr
25-49
50.83kr
50-99
47.03kr
100+
41.68kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 101

N-kanals transistor SPA11N65C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: isolerat hölje (2500VAC, 1 min). G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kostnad): 390pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 11N65C3. Pd (effektförlust, max): 33W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 44 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
SPA11N65C3
31 parametrar
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.34 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FP
Spänning Vds(max)
650V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1200pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
isolerat hölje (2500VAC, 1 min)
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
33A
Kanaltyp
N
Kostnad)
390pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
11N65C3
Pd (effektförlust, max)
33W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
44 ns
Td(på)
10 ns
Teknik
Cool MOS™ Power Transistor
Trr-diod (Min.)
400 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för SPA11N65C3