N-kanals transistor SPA11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3-1. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1600pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg effektiv kapacitans". G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kostnad): 800pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 11N80C3. Pd (effektförlust, max): 41W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Spec info: Helt isolerat paket (2500VAC /1 minut). Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30