N-kanals transistor SI4800BDY-T1-E3, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 0.0155 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Snabb växling, Power MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40Ap. Kanaltyp: N. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 4800B. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Port-/källspänning Vgs: 25V. Td(av): 32 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30