N-kanals transistor FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Hölje: SO. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 19m Ohms. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Antal utgångar: 1. Avgift: 13nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 475pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: 30V. Dräneringsström: 8.5A. Effekt: 2.5W. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kostnad): 100pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1uA. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 42 ns. Td(på): 5 ns. Teknik: MOSFET, PowerTrench®. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41