N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247, 650V - MBQ60T65PES

N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247, 650V - MBQ60T65PES. N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: 60T65PES. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 535W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 142ns. Td(på): 45 ns. Teknik: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 05:25.