N-kanals transistor IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

N-kanals transistor IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
104.51kr
5-14
95.24kr
15-29
89.14kr
30-59
84.10kr
60+
74.85kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 38

N-kanals transistor IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 270 milliOhms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2890pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: N. Kostnad): 280pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 480W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: PolarP2TM Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTQ460P2
30 parametrar
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
24A
Idss (max)
200uA
Resistans Rds På
270 milliOhms
Hölje
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3P
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2890pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
N
Kostnad)
280pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
480W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
30 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
PolarP2TM Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
400 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IXTQ460P2