N-kanals transistor IXTP36N30P, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 92m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 300V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2250pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 90A. Kanaltyp: N. Kostnad): 370pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11