N-kanals transistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD024

N-kanals transistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD024. N-kanals transistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 870pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Olika: Dynamic dv/dt Rating. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Snabb växling, Logic-Level Gate Drive. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 10:25.