Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 61.42kr | 76.78kr |
2 - 2 | 58.35kr | 72.94kr |
3 - 4 | 55.28kr | 69.10kr |
5 - 9 | 52.21kr | 65.26kr |
10 - 19 | 50.98kr | 63.73kr |
20 - 29 | 49.75kr | 62.19kr |
30 - 81 | 47.91kr | 59.89kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 61.42kr | 76.78kr |
2 - 2 | 58.35kr | 72.94kr |
3 - 4 | 55.28kr | 69.10kr |
5 - 9 | 52.21kr | 65.26kr |
10 - 19 | 50.98kr | 63.73kr |
20 - 29 | 49.75kr | 62.19kr |
30 - 81 | 47.91kr | 59.89kr |
N-kanals transistor, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRLB1304PTPBF. N-kanals transistor, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 7660pF. Kostnad): 2150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 740A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 21 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 10:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.