| Antal i lager: 26 |
N-kanals transistor IRL640A, 200V, 18A, 0.18 Ohms, 18A, TO-220, TO-220AB, 200V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
19.98kr
5-49
16.51kr
50-99
14.20kr
100+
13.05kr
| +66 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 5 |
N-kanals transistor IRL640A, 200V, 18A, 0.18 Ohms, 18A, TO-220, TO-220AB, 200V. Drain-source spänning (Vds): 200V. ID (T=25°C): 18A. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Idss (max): 18A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Effekt: 110W. Funktion: Logisk nivå. Kanaltyp: N. Kontrollera: Logisk nivå. Max dräneringsström: 18A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 110W. Teknik: V-MOS. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38
IRL640A
18 parametrar
Drain-source spänning (Vds)
200V
ID (T=25°C)
18A
Resistans Rds På
0.18 Ohms
Idss (max)
18A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Effekt
110W
Funktion
Logisk nivå
Kanaltyp
N
Kontrollera
Logisk nivå
Max dräneringsström
18A
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
110W
Teknik
V-MOS
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild