N-kanals transistor IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

N-kanals transistor IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
21.43kr
5-49
17.71kr
50-99
15.81kr
100+
14.00kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 26

N-kanals transistor IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: N. Kostnad): 480pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 10V. RoHS: ja. Td(av): 44 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 310 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRL640
30 parametrar
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
17A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.18 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
68A
Kanaltyp
N
Kostnad)
480pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
125W
Port-/källspänning Vgs
10V
RoHS
ja
Td(av)
44 ns
Td(på)
8 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
310 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRL640