N-kanals transistor IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

N-kanals transistor IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.23kr
5-24
10.93kr
25-49
9.23kr
50+
8.29kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 396

N-kanals transistor IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 500pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Advanced Power MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kostnad): 95pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 38W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: Advanced Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 137 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFS630A
29 parametrar
ID (T=100°C)
4.1A
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.4 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
500pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Advanced Power MOSFET
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
N
Kostnad)
95pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
38W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
30 ns
Td(på)
13 ns
Teknik
Advanced Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
137 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRFS630A