N-kanals transistor IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kostnad): 240pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: IRFI630G. Pd (effektförlust, max): 35W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 9.4 ns. Teknik: Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43