N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-220AB, 200V, 9.8A - IRFI640GPBF
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 34.01kr | 42.51kr |
| 5 - 9 | 32.31kr | 40.39kr |
| 10 - 24 | 26.03kr | 32.54kr |
| 25 - 49 | 25.46kr | 31.83kr |
| 50 - 99 | 24.90kr | 31.13kr |
| 100 - 125 | 24.05kr | 30.06kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 34.01kr | 42.51kr |
| 5 - 9 | 32.31kr | 40.39kr |
| 10 - 24 | 26.03kr | 32.54kr |
| 25 - 49 | 25.46kr | 31.83kr |
| 50 - 99 | 24.90kr | 31.13kr |
| 100 - 125 | 24.05kr | 30.06kr |
N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-220AB, 200V, 9.8A - IRFI640GPBF. N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-220AB, 200V, 9.8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI640GPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Originalprodukt från tillverkaren Vishay (ir). Antal i lager uppdaterad den 12/06/2025, 13:25.
Vi rekommenderar även :
Vi rekommenderar även :
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.