N-kanals transistor IRFB4227, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 19.7m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4600pF. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: PDP-omkopplare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 260A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 460pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 330W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 21 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43