N-kanals transistor IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 38nC. Avloppsskydd: diod. C(tum): 610pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: 500V. Dräneringsström: 4.5A, 2.9A. Effekt: 74W. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 160pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 1.5 Ohms. Pd (effektförlust, max): 74W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 42 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 320 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43