N-kanals transistor IRF830APBF, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. C(tum): 620 ns. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). IDss (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: N. Kostnad): 93 ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 74W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 21 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Temperatur: +105°C. Trr-diod (Min.): 430 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43