N-kanals transistor, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRF8010S

N-kanals transistor, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRF8010S. N-kanals transistor, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 12m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3850pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 99 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 320A. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 260W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 61 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 18:25.