N-kanals transistor, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807

N-kanals transistor, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807. N-kanals transistor, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 0.017 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: integrerad krets för DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 66A. IDss (min): 30uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 15/05/2025, 05:25.