N-kanals transistor, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7413Z

N-kanals transistor, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7413Z. N-kanals transistor, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1210pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 95. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultralåg grindimpedans. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 100A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11 ns. Td(på): 8.7 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 11/06/2025, 00:25.