N-kanals transistor IRF640N, TO-220, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220AB, 200V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 44.7nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 1K/W. C(tum): 1160pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 200V. Dräneringsström: 18A. Effekt: 150W. Funktion: -. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 72A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 185pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 150W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 23 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Tillverkarens märkning: IRF640NPBF. Trr-diod (Min.): 167 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08