N-kanals transistor IRF640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: -. G-S Skydd: nej. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 4 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 72A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 430pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 45 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08