N-kanals transistor IRF634, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

N-kanals transistor IRF634, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.49kr
5-49
9.12kr
50-99
7.70kr
100+
6.96kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 23

N-kanals transistor IRF634, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 770pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kostnad): 190pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 74W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 4.2 ns. Td(på): 9.6 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF634
29 parametrar
ID (T=100°C)
5.1A
ID (T=25°C)
8.1A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.45 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
250V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
770pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
32A
Kanaltyp
N
Kostnad)
190pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
74W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
4.2 ns
Td(på)
9.6 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
220 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRF634