N-kanals transistor IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V

N-kanals transistor IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
18.45kr
5-24
15.79kr
25-49
14.11kr
50-99
13.10kr
100+
11.65kr
Antal i lager: 339

N-kanals transistor IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 400V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 36nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1400pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: 400V. Dräneringsström: 10A, 6.3A. Effekt: 125W. Funktion: MOSFET-transistor med snabb omkoppling. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) max.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Grindspänning: ±30V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 330pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 0.55 Ohms. Pd (effektförlust, max): 125W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: V-MOS. Tillverkarens märkning: IRF740PBF. Trr-diod (Min.): 370 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF740
41 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=100°C)
6.3A
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.55 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
400V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
36nC
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1400pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Dräneringskälla spänning
400V
Dräneringsström
10A, 6.3A
Effekt
125W
Funktion
MOSFET-transistor med snabb omkoppling
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) max.
4 v
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
2V
Grindspänning
±30V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
330pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Motstånd mot tillstånd
0.55 Ohms
Pd (effektförlust, max)
125W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(av)
50 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
V-MOS
Tillverkarens märkning
IRF740PBF
Trr-diod (Min.)
370 ns
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay