N-kanals transistor IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanals transistor IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
18.34kr
5-49
15.73kr
50-99
13.88kr
100-199
12.74kr
200+
11.04kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 44

N-kanals transistor IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.077 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1700pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: 1.3k Ohms. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Kostnad): 560pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 150W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 53 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF540
30 parametrar
ID (T=100°C)
20A
ID (T=25°C)
28A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.077 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1700pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
1.3k Ohms
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
N
Kostnad)
560pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
150W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
53 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
180 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRF540