N-kanals transistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V

N-kanals transistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.80kr
5-24
13.38kr
25-49
11.70kr
50-99
10.48kr
100+
9.32kr
Antal i lager: 371

N-kanals transistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 47.3nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 1.1K/W. C(tum): 1960pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 100V. Dräneringsström: 33A. Effekt: 140W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 130W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 115 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:08

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF540N
38 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=100°C)
23A
ID (T=25°C)
33A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.044 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
47.3nC
Avloppsskydd
ja
Bostadsmotstånd
1.1K/W
C(tum)
1960pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
100V
Dräneringsström
33A
Effekt
140W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kostnad)
250pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
130W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
39 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
115 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier