N-kanals transistor IRF3205Z, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor IRF3205Z, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
28.23kr
5-24
26.00kr
25-49
24.06kr
50-99
22.26kr
100+
19.80kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 187

N-kanals transistor IRF3205Z, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 4.9m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 3450pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: "Avancerad processteknik". G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 440A. Kanaltyp: N. Kostnad): 550pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 200W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3205Z
31 parametrar
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
110A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
4.9m Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
3450pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
"Avancerad processteknik"
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
440A
Kanaltyp
N
Kostnad)
550pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
200W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(av)
45 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
28 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRF3205Z