N-kanals transistor STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V

N-kanals transistor STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
52.92kr
5-9
48.98kr
10-24
45.77kr
25-49
42.75kr
50+
38.13kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 66

N-kanals transistor STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0098 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 68V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2550pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 392A. Kanaltyp: N. Kostnad): 550pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 80NF70. Pd (effektförlust, max): 190W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 90 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

STP80NF70
31 parametrar
ID (T=100°C)
68A
ID (T=25°C)
98A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.0098 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
68V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2550pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
392A
Kanaltyp
N
Kostnad)
550pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
80NF70
Pd (effektförlust, max)
190W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
90 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diod (Min.)
70 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för STP80NF70