N-kanals transistor IRF1010N, TO-220, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.11 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Används för: -55...+175°C. Avgift: 80nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 1.2K/W. C(tum): 3210pF. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 72A. Effekt: 130W. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 290A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 690pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 180W. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00