N-kanals transistor IRF1010E, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2800pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Snabb växling, ultralågt på-motstånd. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 330A. Kanaltyp: N. Kostnad): 880pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 200W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 41 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00