N-kanals transistor FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanals transistor FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
57.23kr
5-24
50.22kr
25-49
45.09kr
50-99
40.50kr
100+
34.28kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager
Ekvivalens tillgänglig

N-kanals transistor FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Snabb växlingshastighet. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: N. Kostnad): 245pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 170W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 28/08/2025, 22:03

Teknisk dokumentation (PDF)
FQP13N50
30 parametrar
ID (T=100°C)
7.9A
ID (T=25°C)
12.5A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.33 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Snabb växlingshastighet
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
N
Kostnad)
245pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
170W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
100 ns
Td(på)
40 ns
Teknik
N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET)
Trr-diod (Min.)
290 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för FQP13N50