N-kanals transistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanals transistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
75.01kr
5-14
70.51kr
15-29
66.28kr
30-59
62.30kr
60+
55.05kr
Antal i lager: 12

N-kanals transistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1580pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 52A. Kanaltyp: N. Kostnad): 180pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 195W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 43nC). Td(av): 130 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQP13N50C
31 parametrar
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.39 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
1580pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
52A
Kanaltyp
N
Kostnad)
180pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
195W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Låg grindladdning (typiskt 43nC)
Td(av)
130 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET)
Trr-diod (Min.)
410 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild